士蘭微SiC MOSFET產(chǎn)品榮獲2025中國(guó)創(chuàng)新IC“創(chuàng)新突破獎(jiǎng)”

2025年7月11日-12日，“第五屆中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)”（ICDIA 創(chuàng)芯展）在蘇州成功召開(kāi)。大會(huì)期間，由中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新聯(lián)盟組織開(kāi)展的“2025中國(guó)創(chuàng)新IC-強(qiáng)芯評(píng)選”頒獎(jiǎng)典禮隆重舉行。士蘭微電子SiC MOSFET產(chǎn)品SCDP120R007NB2CPW4榮獲2025中國(guó)創(chuàng)新IC“創(chuàng)新突破獎(jiǎng)”。

“強(qiáng)芯評(píng)選”旨在推動(dòng)自主芯片創(chuàng)新應(yīng)用，在全國(guó)范圍內(nèi)評(píng)選技術(shù)領(lǐng)先、競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)、質(zhì)量可靠的創(chuàng)新IC 產(chǎn)品，為系統(tǒng)整機(jī)、品牌終端、 用戶單位提供國(guó)產(chǎn)優(yōu)質(zhì)芯片應(yīng)用選型，以此深度挖掘中國(guó)芯領(lǐng)先產(chǎn)品，共建自主產(chǎn)業(yè)生態(tài)。其作為一年一度的國(guó)產(chǎn)IC推優(yōu)平臺(tái)，對(duì)我國(guó)自主集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新具有重要意義。