士蘭微SiC MOSFET產(chǎn)品榮獲2025中國創(chuàng)新IC“創(chuàng)新突破獎(jiǎng)”

2025年7月11日-12日，“第五屆中國集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)”（ICDIA 創(chuàng)芯展）在蘇州成功召開。大會(huì)期間，由中國集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新聯(lián)盟組織開展的“2025中國創(chuàng)新IC-強(qiáng)芯評(píng)選”頒獎(jiǎng)典禮隆重舉行。士蘭微電子SiC MOSFET產(chǎn)品SCDP120R007NB2CPW4榮獲2025中國創(chuàng)新IC“創(chuàng)新突破獎(jiǎng)”。

“強(qiáng)芯評(píng)選”旨在推動(dòng)自主芯片創(chuàng)新應(yīng)用，在全國范圍內(nèi)評(píng)選技術(shù)領(lǐng)先、競爭力強(qiáng)、質(zhì)量可靠的創(chuàng)新IC 產(chǎn)品，為系統(tǒng)整機(jī)、品牌終端、 用戶單位提供國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)芯片應(yīng)用選型，以此深度挖掘中國芯領(lǐng)先產(chǎn)品，共建自主產(chǎn)業(yè)生態(tài)。其作為一年一度的國產(chǎn)IC推優(yōu)平臺(tái)，對(duì)我國自主集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新具有重要意義。

SCDP120R007NB2CPW4

士蘭微電子SCDP120R007NB2CPW4 （1200V  7mΩ，TO-247Plus-4L）是一款N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOSFET，采用公司碳化硅自主工藝技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)(typ.)=5.5mΩ）、傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗，具有較高的功率密度，能提供最佳的熱性能。

士蘭微“一體化”戰(zhàn)略

近年來，士蘭微電子深入實(shí)施“一體化”戰(zhàn)略，通過持續(xù)推出富有競爭力的產(chǎn)品，持續(xù)加大對(duì)大型白電、汽車、新能源、工業(yè)、通訊和算力等高門檻市場的拓展力度，公司總體營收保持了較快的增長勢頭。同時(shí)，公司非常重視SiC產(chǎn)品的開發(fā)和應(yīng)用。

在碳化硅產(chǎn)品方面，士蘭微已搭建起包含晶圓、分立器件、模組在內(nèi)的多元產(chǎn)品矩陣，全面覆蓋汽車主驅(qū)、汽車熱管理、光伏儲(chǔ)能、充電樁、AI服務(wù)器、工業(yè)電源等應(yīng)用領(lǐng)域，在多家頭部客戶實(shí)現(xiàn)項(xiàng)目批量交付。當(dāng)前士蘭第二代碳化硅產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定交付，備受期待的第四代碳化硅產(chǎn)品也計(jì)劃于今年正式推出。

在碳化硅產(chǎn)能建設(shè)方面，2025年士蘭廈門碳化硅8英寸生產(chǎn)線將實(shí)現(xiàn)通線并投產(chǎn)，這一突破將大幅提升生產(chǎn)效率與規(guī)模。未來，士蘭微將依托技術(shù)與產(chǎn)能的雙重升級(jí)，為客戶提供更高品質(zhì)，更多元化的碳化硅產(chǎn)品，持續(xù)為功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化進(jìn)程注入綠色動(dòng)能。